MODULO IGBT 1110AMP . 1200V / SEMIKRON / SEMIX603GB12E4IP

Módulo IGBT 1200V 1110A/Semikron/ SEMIX603GB12E4IP

✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo SEMiX
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 1110 A
✅ Tecnología Trench/Field Stop
✅ Configuración: 3 fases (6 IGBTs + 6 diodos)
✅ Baja caída de tensión y pérdidas por conmutación
✅ Alta capacidad de disipación térmica
✅ Encapsulado robusto para montaje con presión uniforme (PressFIT)
✅ Ideal para inversores de tracción, energías renovables y aplicaciones de alto rendimiento
✅ Código original Semikron: SEMIX603GB12E4IP

Métodos de pago:

Características

Módulo IGBT 1200V 1110A/Semikron/ SEMIX603GB12E4IP

✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo SEMiX
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 1110 A
✅ Tecnología Trench/Field Stop
✅ Configuración: 3 fases (6 IGBTs + 6 diodos)
✅ Baja caída de tensión y pérdidas por conmutación
✅ Alta capacidad de disipación térmica
✅ Encapsulado robusto para montaje con presión uniforme (PressFIT)
✅ Ideal para inversores de tracción, energías renovables y aplicaciones de alto rendimiento
✅ Código original Semikron: SEMIX603GB12E4IP